IRFR3710ZTRLPBF 含税价格
地区:上海
认证:
无
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产品属性
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Parameter | Value |
Package | D-Pak |
Circuit | Discrete |
VBRDSS (V) | 100 |
VGs Max (V) | 20 |
RDS(on) Max 10V (mOhms) | 18.0 |
ID @ TC = 25C (A) | 56 |
ID @ TC = 100C (A) | 39 |
Qg T* (nC) | 69.0 |
Qgd T* (nC) | 25.0 |
Rth(JC) (K/W) | 1.05 |
Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 140 |
Part Status | Active & Preferred |
Environmental Options Available | PbF |
Package Cl* Can | Surface Mount with Leads |
IR/国际整流器
IRFR3710ZTRLPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
na(V)
na(V)
na(μS)
na(pF)
na(dB)
na(mA)
na(mW)