IXFH10N100P

地区:上海
认证:

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Product Detail
Part Num:IXFH10N100P
Description:POWER DEVIC* > DISCRETE MOSFETs > N-Channel: Power MOSFETs w/Fast Intrinsic Diode (HiPerFETs) > Polar™ HiPerFETs (500V to 1200V) with reduced Rds(on)
Configuration:Single
Package Style:  TO-247
Status:Active Part
Support Docs:
DataSheet

 

 
Parameter
品牌/商标

IXYS/艾赛斯

型号/规格

IXFH10N100P

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

开启电压

na(V)

夹断电压

na(V)

跨导

na(μS)

*间电容

na(pF)

低频噪声系数

na(dB)

漏*电流

na(mA)

耗散功率

na(mW)