IR MOSFET IRFR120NTRPBF
地区：上海
认证：
无
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产品属性
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| Parameter | Value |
| Package | D-Pak |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 100 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 210.0 |
| ID @ TC = 25C (A) | 9.1 |
| ID @ TC = 100C (A) | 5.8 |
| Qg T* (nC) | 16.7 |
| Qgd T* (nC) | 7.3 |
| Rth(JC) (K/W) | 3.2 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 39 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF |
| Package Cl* Can | Surface Mount with Leads |
IR/国际整流器
IRFR120NTRPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
N-FET硅N沟道
na（V）
na（V）
na（μS）
na（pF）
na（dB）
na（mA）
na（mW）
