IR MOSFET IRFR120NTRPBF

地区:上海
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ParameterValue
Package D-Pak
Circuit Discrete
VBRDSS (V) 100
VGs Max (V) 20
RDS(on) Max 10V (mOhms) 210.0
ID @ TC = 25C (A) 9.1
ID @ TC = 100C (A) 5.8
Qg T* (nC) 16.7
Qgd T* (nC) 7.3
Rth(JC) (K/W) 3.2
Power Dissipation @ TC = 25C (W) 39
Part Status Active
Environmental Options Available PbF
Package Cl* Can Surface Mount with Leads
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR120NTRPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

na(V)

夹断电压

na(V)

低频跨导

na(μS)

*间电容

na(pF)

低频噪声系数

na(dB)

漏*电流

na(mA)

耗散功率

na(mW)