IR MOSFET IRF7303TRPBF
地区：上海
认证：
无
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产品属性
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| Parameter | Value |
| Package | SO-8 |
| Circuit | DUAL N |
| |BVDSS| | 30 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) 4.5V N-Channnel (mOhms) | 80.0 |
| RDS(on) 10V N-Channnel (mOhms) | 50.0 |
| ID @ TA = 25C N-Channel (A) | 4.9 |
| ID @ TA = 70C N-Channel (A) | 3.9 |
| Qg T* N-Channel (nC) | 16.7 |
| Qgd T* N-Channel (nC) | 5.3 |
| Rth(JA) (K/W) | 62.5 |
| Power Dissipation (W) | 2.0 |
| Part Status | Active |
| Environments Options | PbF and Leaded |
IR/国际整流器
IRF7303TRPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
N/A（V）
N/A（V）
na（μS）
N/A（pF）
N/A（dB）
N/A（mA）
N/A（mW）
