IRLR014N, IRLR014NTRPBF
地区：上海
认证：
无
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产品属性
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| Parameter | Value |
| Package | D-Pak |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 55 |
| VGs Max (V) | 16 |
| RDS(on) Max 4.5V (mOhms) | 210.0 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 140.0 |
| ID @ TC = 25C (A) | 10 |
| ID @ TC = 100C (A) | 7.1 |
| Qg T* (nC) | 5.3 |
| Qgd T* (nC) | 2.9 |
| Rth(JC) (K/W) | 5.3 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 28 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF and Leaded |
| Package Cl* Can | Surface Mount with Leads |
IR/国际整流器
IRLR014NTRPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
N/A（V）
N/A（V）
N/A（pF）
N/A（dB）
N/A（mA）
N/A（mW）
