场效应管 PHB160N03T / 160N03
地区：广东 深圳
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PHB160N03T中文资料：
制造商 | NXP Semiconductors |
制造商*件编号 | PHB160N03T |
描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TrenchMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5毫欧 @ 25A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 75A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 4V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 125nC @ 15V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
功率 - *大 | 230W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
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NXP Semiconductors
PHB160N03T
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4（V）
6000（pF）
75,000（mA）
230,,000（mW）
