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产品属性
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SUB45N03-13L中文资料:
制造商 | Vishay Siliconix |
制造商*件编号 | SUB45N03-13L |
描述 | MOSFET N-CH 30V 45A D2PAK |
标准包装 | 800 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | HEXFET® |
FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13毫欧 @ 45A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 45A |
Id时的 Vgs(th)(*大) | 3V @ 250mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
功率 - *大 | 88W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片:
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Vishay Siliconix
SUB45N03-13L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
3(V)
2000(pF)
45,000(mA)
88,000(mW)