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场效应管 STB12NM50 / B12NM50

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STB12NM50T4

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

5（V）

*间电容

1000（pF）

漏*电流

12,000（mA）

耗散功率

160,000（mW）