场效应管 HUF76107D3S / HUF76107 / 76107D

地区:广东 深圳
认证:

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HUF76107D3S中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商*件编号

HUF76107D3S

描述

MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

QFET™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

85毫欧 @ 10A, 4.5V

漏*至源*电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

20A

Id时的 Vgs(th)(*大)

3V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

10.3nC @ 15V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

5pF @ 25V

功率 - *大

35W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:









 

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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

HUF76107D3S

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3(V)

*间电容

5(pF)

漏*电流

20,000(mA)

耗散功率

35,000(mW)