场效应管 HUF76107D3S / HUF76107 / 76107D
地区：广东 深圳
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无
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HUF76107D3S中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商*件编号 | HUF76107D3S |
描述 | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | QFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85毫欧 @ 10A, 4.5V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 20A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.3nC @ 15V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 5pF @ 25V |
功率 - *大 | 35W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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FAIRCHILD/*童
HUF76107D3S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
3（V）
5（pF）
20,000（mA）
35,000（mW）
