场效应管 BTS244Z / BTS244ZE3062A
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
BTS244Z中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | BTS244Z E3062A |
描述 | MOSFET N-CH 55V 35A TO263-5 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TEMPFET® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 13毫欧 @ 19A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 55V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 35A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 2V @ 130µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 130nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2660pF @ 25V |
功率 - *大 | 170W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-5, D²Pak(4引线 接片), TO-263BB |
供应商设备封装 | P-TO263-5 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的*新信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
BTS244Z订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
：（7线）
商务
MSN： jason-
E-mail：yufo_
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：https://www.yufo-ic.cn/
INFINEON/英飞凌
BTS244Z
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2（V）
2660（pF）
35,000（mA）
170,000（mW）
