场效应管SPD04N60C3 / SPD04N60
地区：广东 深圳
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SPD04N60C3 中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | SPD04N60C3 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 4.5A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | CoolMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 950毫欧 @ 2.8A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 4.5A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 3.9V @ 200µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
功率 - *大 | 50W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | PG-TO252-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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INFINEON/英飞凌
SPD04N60C3
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
3.9（V）
490（pF）
4,500（mA）
50,000（mW）
