场效应管 STD25NF10 / STD25NF10T4 / D25NF10 / D25NF / 2

地区:广东 深圳
认证:

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STD25NF10中文资料:

 

 

 

制造商

STMicroelectronics

制造商*件编号

STD25NF10T4

描述

MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

STripFET™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

38毫欧 @ 12.5A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

100V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

25A

Id时的 Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

55nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1550pF @ 25V

功率 - *大

100W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:









 

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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STD25NF10

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

*间电容

1550(pF)

漏*电流

25,000(mA)

耗散功率

100,000(mW)