场效应管 FDD6035AL / 6035AL / FDD6035

地区:广东 深圳
认证:

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FDD6035AL中文资料:

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商*件编号

FDD6035AL

描述

MOSFET N-CH 30V 46A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

PowerTrench®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

12毫欧 @ 12A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

46A

Id时的 Vgs(th)(*大)

3V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

18nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1230pF @ 15V

功率 - *大

56W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), TO-252AB

供应商设备封装

DPAK

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:









 

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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDD6035AL

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3(V)

*间电容

1230(pF)

漏*电流

46,000(mA)

耗散功率

56,000(mW)