场效应管 BUZ102S / BUZ102
地区:广东 深圳
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BUZ102S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4(V)
1525(pF)
52,000(mA)
120,000(mW)