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产品属性
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IRFR024N中文资料:
制造商 | International Rectifier |
制造商*件编号 | IRFR024NTRPBF |
描述 | MOSFET N-CH 55V17ADPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | HEXFET® |
FET型 | MOSFET N通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C | 75毫欧@10A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏*(Id) @ 25° C | 17A |
Id时的Vgs(th)(*大) | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
在Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 25V |
功率-*大 | 45W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷(TR) |
公司照片:
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IR/国际整流器
IRFR024N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4(V)
370(pF)
17,000(mA)
45,000(mW)