场效应管 IRFR024N / IRFR024NTRPBF / IRFR024 / FR024N

地区:广东 深圳
认证:

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IRFR024N中文资料:

 

制造商

International Rectifier

制造商*件编号

IRFR024NTRPBF

描述

MOSFET N-CH 55V17ADPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

75毫欧@10A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

55V

电流-连续漏*(Id) @ 25° C

17A

Id时的Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

20nC @ 10V

Vds时的输入电容(Ciss)

370pF @ 25V

功率-*大

45W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷(TR)


公司照片:








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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR024N

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

*间电容

370(pF)

漏*电流

17,000(mA)

耗散功率

45,000(mW)