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场效应管 NTB125N02G / 125N2G

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标

0N/安森美

型号/规格

NTB125N02RT4G

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2（V）

*间电容

3440（pF）

漏*电流

15,900（mA）

耗散功率

1,980（mW）