场效应管 NTD60N02RT4G / NTD60N02 / T60N02R / 60N02
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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NTD60N02RT4G中文资料：
制造商 | ON Semiconductor |
制造商*件编号 | NTD60N02RT4G |
描述 | MOSFET N-CH 25V8.5A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 10.5毫欧 @ 20A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 8.5A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
功率 - *大 | 1.25W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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0N/安森美
NTD60N02RT4G
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2（V）
1330（pF）
8.500（mA）
1,250（mW）
