MOS管 场效应管 NDB510A / NDB510 / FNDB510A
地区：广东 深圳
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NDB510A中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商*件编号 | NDB510A |
描述 | MOSFET N-CH 100V 15A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | - |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 120毫欧 @ 7.5A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 15A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 25V |
功率 - *大 | 75W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D²PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
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FAIRCHILD/*童
NDB510A 100V 15A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4（V）
900（pF）
15,000（mA）
75,000（mW）
