场效应管 IPB05N03LB / IPB05N03LBG / 05N03LB
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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IPB05N03LB中文资料：
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | IPB05N03LB G |
描述 | MOSFET N-CH 30V80ATO-263 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | OptiMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5毫欧 @ 60A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 80A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 2V @ 40µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 25nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 3209pF @ 15V |
功率 - *大 | 94W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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INFINEON/英飞凌
IPB05N03LB
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2（V）
3209（pF）
80,000（mA）
94,000（mW）
