场效应管 FS9N60A / IRFS9N60ATRLPBF / IRFS9N60A

地区:广东 深圳
认证:

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IRFS9N60A中文资料:

制造商

International Rectifier

制造商*件编号

IRFS9N60ATRLPBF

描述

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

-

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

750毫欧 @ 5.5A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

600V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

9.2A

Id时的 Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

49nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 25V

功率 - *大

170W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:











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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFS9N60ATRLPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

*间电容

1400(pF)

漏*电流

9,200(mA)

耗散功率

170,000(mW)