场效应管 FDB6035AL / 6035AL / FDB6035

地区:广东 深圳
认证:

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FDB6035AL中文资料:

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商*件编号

FDB6035AL

描述

MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

PowerTrench®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

12毫欧 @ 24A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

30V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

48A

Id时的 Vgs(th)(*大)

3V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

18nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1250pF @ 15V

功率 - *大

52W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D²PAK

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:









 

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品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDB6035AL

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

3(V)

*间电容

1250(pF)

漏*电流

48,000(mA)

耗散功率

52,000(mW)