场效应管 IPB09N03LA / 09N03

地区:广东 深圳
认证:

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IPB09N03LAG中文资料:

 

制造商

Infineon Technologies

制造商*件编号

IPB09N03LA G

描述

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

OptiMOS™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

8.9毫欧 @ 30A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

25V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

50A

Id时的 Vgs(th)(*大)

2V @ 20µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

13nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1642pF @ 15V

功率 - *大

63W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线+接片), TO-263AB

供应商设备封装

PG-TO263-3

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:









 

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品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

IPB09N03LAG

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2(V)

*间电容

1642(pF)

漏*电流

50,000(mA)

耗散功率

63,000(mW)