场效应管 IPB06N03LA / IPB06N03 / 06N03
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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IPB06N03LAG中文资料:
制造商 | Infineon Technologies |
制造商*件编号 | IPB06N03LA G |
描述 | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | OptiMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 5.9毫欧 @ 30A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 50A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 2V @ 40µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 2653pF @ 15V |
功率 - *大 | 83W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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INFINEON/英飞凌
IPB06N03LAG
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
2（V）
2653（pF）
50,000（mA）
83,000（mW）
