N沟MOSF管IRFR3710Z

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

IRFR3710ZPbF, IRFU3710ZPbF

TO-252-2

2,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

18 毫欧 @ 33A, 10V

100V

42A

4V @ 250µA

100nC @ 10V

2930pF @ 25V

140W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63

D-Pak

带卷 (TR)