供应 场效应管 STP5NK50Z,P5NK50Z,STP5NK50

产品型号:STP5NK50Z
特点：
 * 典型的RDS（ON）=1.22Ω
 * 极高dv/dt能力
 * 100％的雪崩测试
 * 栅极电荷最小化
 * 非常低的固有电容
 * 制造重复性非常好
说明
超?系列获得通过极端优化ST的确立脱衣的PowerMESH布局。在除了推动的导通电阻

显着下降，特别是采取措施，确保一个很好的dv/dt能力为最苛刻的应用。这种充满

了ST系列的高电压MOSFET包括革命MDmesh产品。
应用
 * 大电流，高开关速度
 * 理想的OFF-LINE电源供应器，适配器和PFC
 * 照明

封装:TO-220

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):4.4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):70

输入电容Ciss(PF):535 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：3.1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):130

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

上升时间Tr(ns):10 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):32 typ.

下降时间Tf(ns):15 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:500V,4.4A N-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)