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产品属性
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产品型号:BSZ130N03LSG
封装:QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
雪崩能量EAS(mJ):9
最大漏极电流Id(A):35
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.013 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.2
功率PD(W):25
极间电容Ciss(PF):970
通道极性:N通道
低频跨导gFS(s):45
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,35A,OptiMOS?3 Power-MOSFET
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BSZ130N03LSG
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 3.3*3.3/PG-TSDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
供应 场效应管 FQP12N60,FQP12N60C,FDP12N60
供应 场效应管 FQP4N20L,FQP4N20,FQP19N20
供应 场效应管 HUF76132S3ST,HUF76132,76132S
供应 场效应管 SSM6J401TU SSM6J402TU
供应 场效应管 TK40E10K3 K40E10K3
供应 场效应管 TK17A65U,TK17A65,K17A65U
供应场效应管 AO3406,A22T,AO3418,AO3424
供应 场效应管 IRFS730,IRFS740,IRFI730G,IRFI740G
代理场效应管 KIA50N06 KIA65N06 50N06 65N06
供应 场效应管 IRFSZ34A,IRFIZ34N,IRFSZ34B