产品详情

供应 场效应管 BSC009NE2LS,009NE2LS

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金城微零件有限公司

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型号：BSC020N025SG
通道极性:N通道
封装：QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 25 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 100 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 400 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=50A, RGS=25Ω 190 mJ
Gate source voltage VGS 　 ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 96 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2.2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 0.9 mΩ
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=12V, f=1MHz 5800 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 170 S

 

型号/规格

BSC009NE2LS,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

功率特征