供应 场效应管 AO6701L,AO6701,AO6401

地区:广东 深圳
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产品型号:AO6701L

源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.135

最大漏极电流Id(on)(A):-2.3

通道极性:P沟道


封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150


描述:-30V -2.3A功率
MOSFET

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产品型号:AO6401

源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.049

最大漏极电流Id(on)(A):-5

通道极性:P沟道


封装/温度(℃):TSSOP-6/-55 ~150


描述:-30V -5A功率
MOSFET

型号/规格

AO6701L,P,-30V,-2.3A

品牌/商标

AO

封装形式

TSOP-6

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

小功率