供应MOS IPG20N04S4L-07,4N04L07

产品型号:IPG20N04S4L-07

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):20

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):7.2 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):65

极间电容Ciss(PF):3060

通道极性:双N

低频跨导gFS(s)：

温度(℃):-55 ~175

描述:40V,20A N-Channel OptiMOS?-T2 Power-Transistor

Features
? Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode
? AEC Q101 qualified
? MSL1 up to 260°C peak reflow
? 175°C operating temperature
? Green Product (RoHS compliant)
? 100% Avalanche tested

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