场效应管 ISL9N306AS3ST N306AS ISL9N306

产品型号:ISL9N306AS3ST

封装:SOT-263/D2PAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):75

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):3400

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET

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