供应 场效应管 BSC019N04NSG,019N04NS,BSC019N04

产品型号:BSC019N04NSG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):40

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):295

最大漏极电流Id(A):100

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0019 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):8800 TYP

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：120

温度(℃): -55 ~150

描述:40V,100A, OptiMOS Power-Transistor

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