供应 IR 原装MOS——IRF1405PBF

地区:上海 上海市
认证:

上海贝臣电子有限公司

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AUTOMOTIVE MOSFET

适用于:电动助力转向系统,防抱死制动系统,控制器等

无铅封装

封装形式:TO-220AB

工作温度范围:-55 ~ 175°C

VDSS = 55V

RDS(on) = 5.3mΩ

ID = 169A

功率耗散:330W

开启延迟时间:13ns

关断延迟时间:130ns

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF1405PBF

种类

绝缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

TR/激励、驱动

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

跨导

69000(μS)

极间电容

5480(pF)

漏极电流

169000(mA)

耗散功率

330000(mW)