供应 IR 原装MOS——IRF1405PBF
地区:上海 上海市
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
AUTOMOTIVE MOSFET
适用于:电动助力转向系统,防抱死制动系统,控制器等
无铅封装
封装形式:TO-220AB
工作温度范围:-55 ~ 175°C
VDSS = 55V
RDS(on) = 5.3mΩ
ID = 169A
功率耗散:330W
开启延迟时间:13ns
关断延迟时间:130ns
IR/国际整流器
IRF1405PBF
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
TR/激励、驱动
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
4(V)
69000(μS)
5480(pF)
169000(mA)
330000(mW)