上海贝臣电子有限公司
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600V N-Channel MOSFET
Features•rDS(on) = 4.7Ω @ VGS = 10 V•Low gate charge (typical 8.5 nC)•Low Crss (typical 4.3 pF)•Fast switching•100% avalanche tested•Improved dv/dt capability
FAIRCHILD/仙童
FQP2N60C
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CER-DIP/陶瓷直插
2000(mA)
54000(mW)
供应安森美功率MOS——NTD3055L104
供应 ST 集成电路IC VN380SP
美格拉原装MOS——MDHT3N40URH
供应 ST功率MOS—VND14NV04-E 原装 40V 12A
上海贝臣供应 美格拉(纳)开关电源MOS MDF4N60TH
供应 美格拉(纳)贴片MOS MDS9651URH 原装 N-P双沟道
供应IR原装开关电源MOS——IRF3515L
长期供应ST原装MOS——STFW60N65M5
供应 美格拉(纳)MOS管—MDD5N50RH 原装
STP21NM50N
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