无锡固电ISC供应 BDX92 三极管

地区:江苏 无锡
认证:

无锡固电半导体股份有限公司

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DESCRIPTION    

·High DC Current Gain-

  : hFE= 30-120@IC= 5A

·Excellent Safe Operating Area

·High Current Capability

APPLICATIONS

·Designed for use in switching-control amplifiers,  power

gates,switching regulators, converters, and inverters.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TC=25unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

VCEO(SUS)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

IC= 100mA ;IB= 0

80

 

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 0.5A

 

 

0.5

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 10A; IB= 1A

 

 

1.0

V

VBE(sat)-1

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 5A; IB= 0.5A

 

 

1.2

V

VBE(sat)-2

Base-Emitter Saturation Voltage

IC= 10A; IB= 1A

 

 

1.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB=80V; IE=0

 

 

1.0

mA

ICEV

Collector Cutoff Current

VCE=80V;VBE=-1.5V

VCE=80V;VBE=-1.5V;TC=150

 

 

1.0

3.0

mA

IEBO

Emitter Cutoff current

VEB=6V; IC=0

 

 

1.0

mA

hFE-1

DC Current Gain

IC= 1A ; VCE= 2V

30

 

 

 

hFE-2

DC Current Gain

IC= 5A ; VCE= 5V

30

 

120

 

hFE-3

DC Current Gain

IC= 10A ; VCE= 5V

20

 

 

 

fT

Current-Gain—Bandwidth Product

IC= 0.5 A;VCE= 5V;ftest= 5MHz

 

70

 

MHz

Switching Times

ton

Turn-On Time

IC= 5A; IB1= -IB2= 0.5A,

VCC=30V

 

 

0.35

μs

tstg

Storage Time

 

 

1.3

μs

tf

Fall Time

 

 

0.2

μs

"
是否提供加工定制

品牌/商标

ISC/ISCSEMI

型号/规格

BDX92

应用范围

放大

材料

硅(Si)

极性

NPN型

集电极允许电流ICM

10(A)

集电极耗散功率PCM

60(W)

截止频率fT

70(MHz)

结构

扩散型

封装形式

TO-3

封装材料

金属封装