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无锡固电ISC 供应T2142晶体管

地区：江苏 无锡
认证： 无

无锡固电半导体股份有限公司

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D*CRIPTION                                             

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

  : V(BR)CEO= 300V(Min)

·High DC Current Gain

  : hFE= 600(Min.)@ IB= 5mA

·Low Collector Saturation Voltage

  : VCE(sat)= 1.8V(Max.)@ IC= 4A

 

 

APPLICATIONS

·Switching for dynamotor excitation

ELE*RICAL CHARA*ERISTICS

TC=25℃unless otherwise specified

SY*OL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

TYP.

MAX

UNIT

V(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

IC= 5mA; IB= 0

300

 

 

V

V(BR)CBO

Collector-BaseBreakdownVoltage                      

IC=1mA; IE= 0

400

 

 

V

V(BR)EBO

Emitter-BaseBreakdownVoltage

IE= 5mA; IC= 0

5

 

 

V

VCE(sat)-1

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC= 4A; IB= 16mA

 

 

1.8

V

VCE(sat)-2

Collector-Emitter Saturation Voltage

IC=6A; IB= 24mA

 

 

2.0

V

VBE(sat)

Base-Emitter Saturation Voltage

IC=6A; IB= 24mA

 

 

2.5

V

ICBO

Collector Cutoff Current

VCB= 400V; IE= 0

 

 

100

μA

IEBO

Emitter Cutoff Current

VEB= 5V; IC= 0

 

 

5.0

mA

hFE

DC Current Gain

IB= 5mA; VCE= 2V

600

 

 

 

"
是否提供**

是

品牌/商标

isc/iscsemi

型号/规格

T2142

应用范围

达林顿

材料

硅(Si)

*性

NPN型

集电*允许电流ICM

6（A）

集电*耗散功率PCM

100（W）

结构

平面型

封装形式

TO-*N

封装材料

塑料封装