ON仙童FDB2532 150V 79A N沟道MOSFET

ON仙童FDB2532 150V 79A N沟道MOSFET

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-263

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 79 A

Rds On-漏源导通电阻: 14 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 82 nC

工作温度: - 55℃——+ 175℃

Pd-功率耗散: 310 W

N沟道MOSFET FDB2532具有低漏源导通电阻，低栅极电荷和UIS能力（单脉冲，重复脉冲）的特点，广泛应用于DC / DC转换器和离线式UPS，高压同步整流器，电子气门驱动系统，42V汽车负载控制。