代理信安TSA18N50MR 18A 500V N沟道MOSFET

Truesemi信安TSA18N50MR 18A 500V N沟道MOSFET

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-247

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 18 A

Rds On-漏源导通电阻: 0.25 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: ±30 V

Qg-栅极电荷: 42 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 235 W

N沟道MOSFET TSA18N50MR使用了先进的平面条纹DMOS结构技术，这种先进的技术特别适合减少开态电阻，提供快速开关，承受高能量脉冲雪崩和变换模式。这些设备很适合高效开关电源,有源功率因数校正基于半桥拓扑。