仙童FDA50N50 50A 500V N沟道MOSFET

仙童FDA50N50 50A 500V N沟道MOSFET

产品种类: N沟道MOSFET

封装: TO-3P

晶体管类型: 1 N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 48 A

Rds On-漏源导通电阻: 105 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 105 nC

工作温度: - 55℃——+ 150℃

Pd-功率耗散: 625 W

N沟道MOSFET FDA50N50具有低栅极电荷，快速开关，100 ％雪崩测试和改进dv/dt能力的特点，广泛应用于开关模式电源和有源功率因数校正中。