IPD640N06LG MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2

IPD640N06LG  MOSFET N-Ch 60V 18A DPAK-2

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息 

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-252-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 

VId-连续漏极电流:18 ARds 

On-漏源导通电阻:64 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:47 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMO

S封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:2.3 mm 

长度:6.5 mm 

系列:OptiMOS 2 

晶体管类型:1 N-Channel 

宽度:6.22 mm 

商标:Infineon Technologies 

下降时间:32 ns 

产品类型:MOSFET 

上升时间:25 ns 

工厂包装数量:2500 

子类别:MOSFETs

 典型关闭延迟时间:32 ns 

典型接通延迟时间:6 ns

 零件号别名:IPD640N06LGBTMA1 IPD64N6LGXT SP000443766 

单位重量:4 g

IPD640N06LG  IPD640N06LG  IPD640N06LG