供应双通道MOSFET晶体管SI4914BDY-T1-E3

型号：SI4914BDY-T1-E3

品牌：Vishay / Siliconix

类别：分立式半导体 晶体MOSFET

贴片SOP-8  双N沟道  30V（Vdss） 6.7A（Id）

1.7 W, 2 W（功耗）

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N通道

汲极/源极击穿电压：30 V

闸/源击穿电压：20 V

漏极连续电流：6.7 A, 7.4 A

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.7 W, 2 W

上升时间：10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2

工厂包装数量：2500

下降时间：10 ns at Channel 1, 9 ns at Channel 2

典型关闭延迟时间：16 ns

导通电阻：21mOhms 1通道 1, 20mOhms 2通道

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT/贴片

供应商标准封装：SOP-8

封装类型：Reel/卷盘

零件号别名：SI4914BDY-E3

单价：面议

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应贴片MOSFET SI4914BDY-T1-E3

正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。

MOSFET操作原理

MOSFET的核心：金属—氧化层—半导体电容金属—氧化层—半导体结构MOSFET在结构上以一个金属—氧化层—半导体的电容为核心（如前所述，今日的MOSFET多半以多晶硅取代金属作为其栅极材料），氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅。这样子的结构正好等于一个电容器（capacitor），氧化层扮演电容器中介电质（dielectric material）的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数（dielectric constant）来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端（如图）时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层（inversion layer）。MOS电容的特性决定了MOSFET的操作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子（majority carrier）的源极以及接受这些多数载流子的漏极。