供应STD10NM60N MOSFET N-CH 600V 8A

地区:广东 深圳
认证:

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型号:STD10NM60N

品牌:STMicroelectronics

产品描述:集成电路(IC) 场效应管

MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A

系列:STD10NM60N

产品种类:MOSFET

漏极连续电流:10 A

导通电阻:550 mOhms

配置:Single

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT/贴片

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:70 W

上升时间:12 ns

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:600 V

封装:DPAK

封装:Reel/卷盘

下降时间:15 ns

栅极电荷 Qg:19 nC

工厂包装数量:2500

典型关闭延迟时间:32 ns

价格: 面议

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应晶体MOS场效应管

STD10NM60N正品原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。

型号/规格

STD10NM60N

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

大功率

种类

MOSFET

FET 类型

N沟道

功率耗散

70W

工作温度

-55°C ~ 150°C

封装尺寸

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63