供应SI7135DP-T1-GE3 小功率MOSFET P通道

型号：SI7135DP-T1-GE3

品牌：Vishay / Siliconix

描述：分立式半导体 晶体MOSFET

贴片SOT-23  P通道  30V 60A PPAK

产品种类：MOSFET

晶体管极性：P通道

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：6.25 W

上升时间：100 ns

系列：SI71xxDx

安装风格：SMD/SMT

供应商标准封装：QFN-8

汲极/源极击穿电压：- 30 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：- 60 A

导通电阻：5 mOhms

最大工作温度：+ 150 C

下降时间：50 ns

正向跨导 - 最小值：95 S

封装类型：Reel/卷盘

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：110 ns

产品其它名称：SI7135DP-GE3

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应SI7135DP-T1-GE3贴片MOS晶体管

正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。

功率MOS场效应晶体管：

功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。

分类

功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。