供应SI4972DY-T1-E3双N通道MOSFET

地区:广东 深圳
认证:

深圳市勤思达科技有限公司

VIP会员13年

全部产品 进入商铺

型号:SI4972DY-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

类别:分立式半导体 场效应管MOSFET

贴片TSSOP20 8BIT 8KB FLASH 16MHz

漏源极电压 (Vdss):30V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10.8A,7.2A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14.5 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):28nC @ 10V

标准包装:3000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 阵列

包装:剪切带 (CT)

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:标准

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1080pF @ 15V

功率 - 最大值:3.1W,2.5W

安装类型:表面贴装/SMD/SMT

供应商标准封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC

产品其它名称名称:SI4972DY-T1-E3CT SI4972DYT1E3

批号:最新出厂批次

数量:18960

备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应SI4972DY-T1-E3贴片MOSFET管

正品原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。


型号/规格

SI4972DY-T1-E3

品牌/商标

Vishay Siliconix

封装形式

SOT-23

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率

批号

2017+

数量

18900

单价

面议

FET类型

2 个 N 沟道(双)

漏源电压(Vdss)

30V

功率耗散

3.1W,2.5W

工作温度范围

-55°C ~ 150°C(TJ)