N沟道功率MOSFET 2SK389 2SJ109音频放大器

地区:广东 深圳
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标准包装: 50
类别: 分立式导体产品
家庭: FET - 单
系列: -
包装: 散装
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压 (Vdss): 200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时): 22A (Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值): 62 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg): -
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss): 3177pF @ 25V
功率 - 最大值: 40W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220D-A1
产品目录页面: 1487 (CN2011-ZH PDF)

N沟道功率MOSFET 2SK389 2SJ109音频放大器

N沟道功率MOSFET 2SK389 2SJ109音频放大器

N沟道功率MOSFET 2SK389 2SJ109音频放大器

型号/规格

2SK389

品牌/商标

TOSHIBA(东芝)

封装形式

ZIP-7

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特征

小功率