供应SI7858ADP-T1-E3 晶体MOSFET 贴片QFN8

型号：SI7858ADP-T1-E3

品牌：Vishay / Siliconix

类别：分立式半导体 晶体MOSFET

贴片QFN-8  N沟道  12V（Vdss） 29A（Id）

1.9W（Tc） -55C ~ 150C（TJ）

产品种类：MOSFET

晶体管极性：N-Channel

汲极/源极击穿电压：12 V

闸/源击穿电压：+/- 8 V

下降时间：70 ns

正向跨导 - 最小值：130 S

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.9 W

上升时间：40 ns

工厂包装数量：3000

系列：SI7858ADP-E3

单价：面议

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应贴片MOSFET SI7858ADP-T1-E3

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晶体MOSFET结构

图1是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散了两个N型区，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层，最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图所示。从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起，这样，相当于D与S之间有一个PN结。图1是常见的N沟道增强型MOSFET的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、DMOS、TMOS等结构。虽然有不同的结构，但其工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。