功率MOS管N沟道STD4NK80ZT4

功率MOS管N沟道STD4NK80ZT4 

N通道800 V，2.7欧姆典型值。，DPAK封装中的3个超级网状功率MOSFET

极高的dv/dt能力

闸门费用zui小化

100%雪崩测试
非常好的制造重复性
非常低的固有电容

超级网? 序列是通过功率MOS管N沟道STD4NK80ZT4 
已建立的ST的极端优化
条形PowerMESH? 布局除了
将阻力显著向下推，特别
注意确保良好的dv/dt
适用于要求zui苛刻的应用程序的能力。
此类系列补充了ST全系列的高
电压MOSFET，包括革命性
MDmesh? 产品。

STP4NK80Z 800 V < 3.5 ? 3 A