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产品属性
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型号:SISA14DN-T1-GE3
品牌:Vishay Semiconductors
描述:分立式半导体 场效应管
MOSFET N通道 30V 20A 贴片QFN 3.57 W
产品种类:MOSFET
汲极/源极击穿电压:30V
漏极连续电流:19.7 A
导通电阻:0.0051 mOhms at 10 V
封装 / 箱体:QFN
封装类型:Reel/卷盘
栅极电荷 Qg:9.4 nC
功率耗散:3.57 W
系列:SISAxxDN
工厂包装数量:3000
价格: 面议
数量:18960
备注:深圳市勤思达科技有限公司长期供应 晶体MOSFET SISA14DN-T1-GE3
正品原装,厂家直销品质保证,欢迎广大客户朋友咨询谈。
SISA14DN-T1-GE3
Vishay Semiconductors
QFN
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
2018+
58600
面议
N通道
30V
-55°C ~ 150°C