供应场效应管SI9435BDY-T1-E3

型号：SI9435BDY-T1-E3

品牌：Vishay / Siliconix

描述：分立式半导体 MOSFET管

贴片8-SOIC MOSFET P通道 30V 4.1A

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 2W

产品种类：MOSFET

安装风格：SMD/SMT/贴片

供应商标准封装：SOIC-8

封装风格：Reel/卷盘

下降时间：14 ns

晶体管极性：P沟道

汲极/源极击穿电压：30 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：5.7 A

导通电阻：42 mOhms

配置：Single

最大工作温度：+ 150 C

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：2.5 W

上升时间：14 ns

工厂包装数量：2500

典型关闭延迟时间：42 ns

产品其它名称：SI9435BDY-E3

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应SI9435BDY-T1-E3 晶体MOSFET

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场效应管

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。