供应贴片MOSFET SQ2308CES-T1-GE3

型号：SQ2308BES-T1-GE3

品牌：Vishay / Siliconix

描述：分立式半导体 MOSFET管

贴片SOT-23  MOSFET N通道  60V 2.3A

-55°C ~ 175°C（TJ） 2W

产品种类：MOSFET

系列：SQ2308

晶体管极性：N通道

功率耗散：2 W

导通电阻：220 mOhms

安装风格：SMD/SMT

汲极/源极击穿电压：60 V

闸/源击穿电压：2.5 V

漏极连续电流：2.3 A

下降时间：12 ns

栅极电荷 Qg：6.8 nC

供应商标准封装：SOT-23-3

封装风格：Reel/卷盘

上升时间：20 ns

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应SQ2308BES-T1-GE3贴片MOSFET晶体管

正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。

MOSFET工作原理

截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面

当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。