供应SI2316BDS-T1-E3 小功率MOSFET N沟道

型号：SI2316BDS-T1-E3

品牌：Vishay / Siliconix

类别：分立式半导体 MOSFET管

贴片TO-263  N沟道  30 V（Vdss） 3.9A（Id）

11 mOhms  1.25 W（功耗）

品种类：MOSFET

晶体管极性：N通道

下降时间：11 ns, 65 ns

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：1.25 W

漏极连续电流：3.9 A

导通电阻：50 mOhms

上升时间：11 ns, 65 ns

汲极/源极击穿电压：30 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

最大工作温度：+ 150 C

安装风格：SMD/SMT/贴片

封装：SOT-23

封装类型：Reel/卷盘

工厂包装数量：3000

典型关闭延迟时间：12 ns, 11 ns

产品其它名称：SI2316BDS-E3

批号：最新出厂批次

数量：18960

备注：深圳市勤思达科技有限公司长期供应SI2316BDS-T1-E3T贴片晶体MOSFET

正品原装，厂家直销品质保证，欢迎广大客户朋友咨询谈。

mos管 ：

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。